В середине ноября Qualcomm официально объявила, что новый флагманский процессор компании получит обозначение Snapdragon 835, а не Snapdragon 830, как предполагалось ранее. Как теперь сообщают сетевые источники, чип Snapdragon 830 также готовится к выпуску.
На сегодня точно известно, что изделие Snapdragon 835 будет изготавливаться по 10-нм технологии и получит поддержку передовой системы быстрой подзарядки Quick Charge 4.0. По слухам, процессор объединит восемь ядер Kryo 200, высокопроизводительный графический контроллер Adreno 540 и сотовый модем X16 LTE.
Устройств на базе Snapdragon 835 начнут поступать на рынок в первой половине 2017-го, а во второй половине следующего года, как ожидается, дебютируют гаджеты на основе менее мощного решения Snapdragon 830.
mi.com
Как отмечается, чип Snapdragon 830 также получит вычислительные ядра Kryo 200 — их количество может составить шесть или восемь штук. Основой графической подсистемы послужит контроллер Adreno 519. Говорится о наличии сотового модуля X12 LTE. Как и старший собрат, процессор будет изготавливаться по технологии с нормами 10 нанометров.